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本产品PLD 脉冲激光沉积联合镀膜系统由脉冲激光沉积生长腔、进样腔与磁控溅射预处理腔组成，三个腔体配备独立的真空系统，腔体之间通过传样杆连接。利用高能量脉冲激光在真空或可控气氛中轰击靶材，使其汽化电离为等离子体羽辉，再沉积到基底上形成高质量薄膜的先进制备设备。主要用于制备各类功能薄膜与新型材料，特别适合复杂氧化物、超导、铁电、压电、半导体等多组元薄膜，能很好保持靶材化学计量比。可沉积金属、陶瓷、高温难熔材料等，广泛应用于微电子、光电器件、传感器、储能与催化材料研发，是材料科学与器件制备的关键实验装备。
其特性优点：
1. 成分保真度高：可实现靶材与薄膜化学计量比高度一致，适合复杂氧化物、多组元功能薄膜制备。
2. 材料适用性广：能沉积金属、半导体、氧化物、超导及高温难熔材料，对高熔点材料优势显著。
3. 沉积质量优异：高能脉冲激光溅射，膜层致密度高、附着力强、缺陷少，结晶质量好。
4. 工艺灵活可控：可在真空或气氛下沉积，易于调控晶格取向、晶粒尺寸与界面结构。
5. 低污染高精度：无坩埚污染，膜厚可控性好，对基底热损伤小，适配半导体、光电器件研发。
| 进样室 | 材质 | 不锈钢 |
| 漏率 | ≤1×10-7Pa.L/s， | |
| 极限真空 | ≤1×10-5 Pa | |
| 结构 | 真空腔室上开有连接样品传输杆、真空泵、快开门、真空计、放气阀等对应的法兰接口 | |
| 独立的真空获得和真空检测组件，包括所需阀门 | ||
| 尺寸 | 进样室可容纳≥3个2英寸样品 | |
| 加热 | 配备加热台，可对样品进行加热烘烤除气，配备加热源和温控电源，可实现温度≥300℃； | |
| 清洗功能 | 样品可进行直流放电等离子清洗，并配备高压电源与电机驱动系统 | |
| 等离子清洗气体 | 样品等离子清洗的工作气体为氢气或氧气，配备工作气路 | |
| 磁力传样杆 | 数量2 | |
| 位置：分别连接脉冲激光沉积成膜室与磁控溅射预处理室 | ||
| 脉冲激光沉积成膜室 | 真空腔材质 | 不锈钢 |
| 漏率 | ≤5×10-8 Pa.L/s | |
| 极限真空 | ≤1×10-7 Pa | |
| 激光入射石英窗口 | 数量*2 | |
| 光路高度1200mm | ||
| 观察窗 | 数量*3 配备观察窗遮挡板 | |
| 红外测温窗口 | 预留红外测温窗口，呈45°夹角倾斜指向样品台 | |
| 真空系统 | 分子泵+机械泵 | |
| 分子泵抽速：1200L/s | ||
| 前级泵抽速：8L/s | ||
| 配置分子泵旁抽机构 | ||
| 真空测量 | 全量程复合真空计 | |
| 气路 | 配备2路高精度气路，分别用于氧气和氢气，配备控制针阀和气体质量流量计，气体流量分别是100sccm和5sccm | |
| 气体可以通过直线驱动器，靠近样品表面并直接喷向样品 | ||
| 样品台 | 旋转靶台可设定速度 | |
| 腔体接口 | 真空腔室上预留连接基板驱动机构、激光靶驱动机构、真空获得和检测、高能量电子枪和荧光屏、进样室等部件的专用接口 | |
| 激光靶材 | 数量 | 靶材数量≥6个 |
| 尺寸 | 激光照射靶的尺寸≥25 | |
| 靶与成膜基板调节范围 | 30～100mm，可在腔体外进行调整 | |
| 旋转 | 通过靶的公转完成切换； | |
| 每块靶材可实现自转，可实现转速≥30转/分； | ||
| 靶的公转和自转通过电机控制，配备控制软件。 | ||
| 基片加热台 | 基片尺寸 | 2英寸； |
| 加热温度 | 加热机构采用SiC加热片； | |
| 配备温控电源，基片加热温度800摄氏度以上，误差小于1度 | ||
| 移动 | 基片台可以作四维移动，径向可动范围不小于100mm，横向可动范围不小于20mm； | |
| 旋转 | 面内旋转电机驱动，可实现转速≥30转/分，连续可调。 | |
| 反射高能电子衍射枪 | 系统 | 配备反射高能电子衍射枪，高能量电子枪、控制电源、荧光屏及真空系统 |
| 高能电子可实现能量 | ≥25keV | |
| 功能 | 电子束斑有聚焦和偏转功能； | |
| 保护 | 电子枪带有自锁保护功能 | |
| 差分抽 | 具备差分抽功能，工作可实现高压强≥10Pa； | |
| 泵和阀门 | 配备差分抽真空泵和阀门 | |
| 磁控溅射预处理室 | 真空腔室 | 1.不锈钢材质，漏率≤5×10-8Pa.L/s，极限真空≤1×10-7Pa； |
| 2.观察窗2个，配备观察窗遮挡板； | ||
| 3.真空获得通过分子泵和机泵组合实现，排气速度1200l/s和8l/s，配备全量程真空计。 | ||
| 4,.真空腔室上预留多个法兰接口，可连接基板驱动机构、磁控溅射靶、氩离子枪、石英振荡膜厚仪、真空获得和检测、进样室等； | ||
| 配备1路高精度氩气气路，配备控制针阀和气体质量流量计，气体流量100sccm | ||
| 额外预留1路进气气路接口，并在机台预留质量流量计固定位置； | ||
| 设计旁抽机构，便于维持工作气体的气压。 | ||
| 基片加热 | 基片尺寸2英寸； | |
| 加热机构采用SiC加热片； | ||
| 配备温控电源，基片加热温度800摄氏度以上，误差小于1度； | ||
| 基片台可以作四维移动，径向可动范围于100mm，横向可动范围为2 0mm； | ||
| 面内旋转电机驱动，可实现转速≥30转/分，连续可调基片尺寸2英寸； | ||
| 磁控溅射靶枪 | 配备3套磁控溅射靶（其中一套为强磁靶），靶材尺寸2英寸，可实现共焦溅射 | |
| 配备直流溅射电源(可实现功率1000 W)一台、射频电源(可实现功率500 W)和匹配箱各一台； | ||
| 溅射靶的靶头倾角可调，自带挡板； | ||
| 氩离子枪 | 配备氩离子枪和控制电源； | |
| 氩离子能量0-2keV连续可调，束斑尺寸可调； | ||
| 配备专用气体导入微调阀。 | ||
| 膜厚 | 石英振荡膜厚仪 | |
| 监测薄膜成长速度0.1～9999.9Å./S | ||
| 检测薄膜厚度范围1～9999Å 振动频率6MHz，水冷构造，连接法兰CF35。 | ||
| 水冷 | 冷却循环水机制冷功率≥12kW； | |
| 采用分体式设计 | ||
| 其他 | 铝合金架台，带脚轮，高度可调； | |
| 标准电源柜，上述所有部件中涉及到控温、旋转、气体流量控制等电控操作的部件均配备对应的控制电源或控制器； | ||
| 冷却水排； | ||
| 触摸屏及相关控制软件。 | ||
| 功能 | 脉冲激光沉积室可实现指定样品RHEED震荡监控（以SrTiO3衬底上同质外延生长为验收标准，震荡周期数目不低于20个周期） | |
| 磁控溅射准备室可实现厚度≤2nm的薄膜样品可控制备（以Fe薄膜为验收标准） |
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关键词： PLD脉冲激光溅射沉积设备
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