三靶向上磁控溅射镀膜仪

所属分类: 磁控溅射仪

产品型号:HYXK-MSH325X-DCDCRF-SS

本产品是我公司自主研发的实验室专用三靶向上磁控溅射镀膜设备,核心采用三靶向上磁控溅射技术,可灵活切换共溅射、顺序溅射两种模式。产品优势显著:自主研发兼顾高性价比与高性能,三靶独立控制且支持定制化,体积紧凑、操作便捷,薄膜沉积均匀性≤±5%,洁净度与稳定性突出。应用广泛,可高效制备单层或多层功能薄膜,涵盖铁电、导电、合金、半导体等多种类型,适配多学科科研实验,是实验室高品质薄膜制备的理想设备。

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       本产品是我公司自主研发的高性价比三靶向上磁控溅射镀膜设备,专为实验室薄膜制备场景打造,核心采用三靶向上磁控溅射方式,依托磁场约束等离子体的核心原理,通过Ar⁺离子轰击靶材、溅射出的粒子向上沉积至基片的方式,实现精准可控的薄膜制备,成为科研实验的核心辅助设备,兼具高洁净度与高稳定性优势,契合前沿科研对薄膜质量的严苛要求。产品依托三靶独立控制的向上磁控溅射方式,可广泛用于制备单层或多层功能薄膜,涵盖铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜等多种类型。通过灵活切换共溅射(多靶同时溅射,实现成分连续调控)或顺序溅射(多靶依次溅射,无需破真空即可完成多层沉积)两种模式,精准适配不同薄膜制备工艺,灵活满足多学科科研实验对薄膜结构、成分的多样化需求。

主要特点:
1.  自主研发高性价比:核心的三靶向上磁控溅射技术自主研发,依托磁场约束电子、提升溅射效率的核心机制,兼顾设备性能与成本优势,打破进口设备垄断,性价比远超同类产品,让实验室可低成本获得高品质溅射镀膜体验。
2.  灵活适配多需求:采用标准化、模块化设计,支持定制化升级,核心优势在于三靶独立控制,可灵活实现多靶共溅射或顺序溅射两种核心溅射方式,适配不同薄膜制备工艺,既能实现复合薄膜的共沉积,也能高效完成多层薄膜的顺序沉积,无需频繁更换靶材、破真空,大幅提升科研效率。
3.  便捷高效易操作:体积紧凑,适配实验室狭小空间,搭载简易操控系统,无需复杂培训即可上手;采用向上磁控溅射方式,利用重力作用减少颗粒污染,配合精准的磁场与气流优化设计,使薄膜沉积均匀性≤±5%,有效保障实验精度,大幅提升实验效率。
 

项目 明细
供电电压 AC220V,50Hz
整机功率 6KW
系统真空 ≦5×10-4Pa
样品台 外形尺寸 φ150mm
加热温度 ≦750℃
控温精度 ±1℃
可调转速 ≦20rpm
磁控靶枪 靶材尺寸 直径Φ50.8mm,厚度≦3mm
冷却模式 循环水冷
水流大小 不小于10L/Min
靶枪数量 3
真空腔体 腔体尺寸 直径φ325mm,高度600mm
腔体材质 SUU304不锈钢
观察窗口 直径φ100mm
开启方式 前面开启
气体控制 1路质量流量计用于控制Ar流量,量程为:200SCCM
真空系统 配分子泵系统1套,气体抽速600L/S
膜厚测量 可选配石英晶体膜厚仪,分辨率0.10 Å
溅射电源 直流电源功率500W*2,射频电源功率300W
控制系统 CYKY自研专业级控制系统
真空计 电阻规真空计
设备尺寸 1090mm×900mm×1250mm
设备重量 350kg

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关键词: 三靶向上磁控溅射镀膜仪